二维半导体极化动力学中的能带内运动影响

我们考虑在强光场作用下、处于非共按 regime的二维半导体中产生的微观极化。我们展示了由激光脉冲电场驱动的准粒子能带内运动对系统极化贡献显著。通过 semiconductor Bloch 方程分析能带内运动的影响。我们提出了一种方法,通过考虑准粒子在动量空间轨迹上的参考系来求解这些方程。我们以强圆偏振红外光照射的过渡金属硫化物单层为例演示了所 developed technique。该解以小参数的幂级数形式给出,该小参数自然地在系统中出现。我们检讨了结果的意义,并讨论了方法的局限性。