单 V2 中心在 4H-SiC 腔体天线中的荧光增强

Iwen E. Kang; Christophe Van Gysel; Man-Hung Siu

单 V2 中心在 4H-SiC 腔体天线中的荧光增强

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作者: Iwen E. Kang , Christophe Van Gysel , Man-Hung Siu

摘要

固态量子发射器是分布式量子技术的理想候选，因为它们本质上提供了自旋-光子接口。然而，该领域的一个挑战是由于典型宿主材料的高折射率导致的光子提取率低。可以使用光子结构来克服这一挑战。本文报道了将 V2 中心集成到基于腔体的光学天线中。该结构由一层厚度为 135 纳米的银涂层 4H-SiC 膜构成，作为平面腔体，具有宽带共振，理论上的光子收集增益因子为 34。平面几何结构使我们能够在室温下识别超过 20 个单 V2 中心，平均（最大）计数率增益因子为 9（15）。此外，我们在低温下观察到 10 个 V2 中心，其平均吸收线宽低于 80MHz。这些结果表明，该光子收集增益对横向发射器位置鲁健。

关键词

量子发射器 V2 中心腔体天线光子收集 4H-SiC

引用

@article{arxiv.2406.08207,
  title  = {Transformer-based Model for ASR N-Best Rescoring and Rewriting},
  author = {Iwen E. Kang and Christophe Van Gysel and Man-Hung Siu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2406.08207},
  year   = {2024}
}

备注

Interspeech '24

单 V2 中心在 4H-SiC 腔体天线中的荧光增强

摘要

关键词

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