半导体中电子自旋系综的量子光学与纠缠
介观与纳米尺度物理
2009-10-12 v1 量子物理
摘要
我们讨论了一种技术和材料体系，能够实现两个空间分离的半导体材料块中电子系综自旋波模式之间的受控量子纠缠。该方法利用位于光波导内的GaAs量子阱中的电子系综。使电子系综处于量子霍尔态，可为跨越能隙的光学跃迁提供选择定则，从而有选择地寻址两个电子自旋态。随后，利用形成共振拉曼系统的一对光场，可控制这些电子自旋态的长寿命叠加态。通过对电子系综中拉曼跃迁产生的光信号脉冲应用量子光学测量技术，可制备自旋波模式的纠缠态。
引用
@article{arxiv.0804.2953,
title = {Towards quantum optics and entanglement with electron spin ensembles in semiconductors},
author = {C. H. van der Wal and M. Sladkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2953},
year = {2009}
}
备注
Proceedings E-MRS 2007, session on solid-state quantum information, 7 pages, 3 figures