ULTRASAT 空间任务中 CMOS 图像传感器的总电离剂量效应

Vlad D. Berlea; Steven Worm; Nirmal Kaipachery; Shrinivasrao R. Kulkarni; Shashank Kumar; Merlin F. Barschke; David Berge; Adi Birman; Shay Alfassi; Amos Fenigstein

doi:10.1016/j.nima.2023.168463

ULTRASAT 空间任务中 CMOS 图像传感器的总电离剂量效应

天体物理仪器与方法 2023-07-19 v1 仪器与探测器

作者: Vlad D. Berlea , Steven Worm , Nirmal Kaipachery , Shrinivasrao R. Kulkarni , Shashank Kumar , Merlin F. Barschke , David Berge , Adi Birman , Shay Alfassi , Amos Fenigstein

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摘要

ULTRASAT（紫外瞬变天文卫星）是一台宽视场空间望远镜，将在近紫外波段开展深度时间分辨巡天。ULTRASAT 是由魏茨曼科学研究所以及以色列航天局牵头、计划于 2025 年发射的空间任务。相机采用背照式拼接像素传感器。该像素具有双转换增益 4T 架构，像素间距为 $9.5$ $\mu m$ ，由 Tower Semiconductor 以 $180$ $nm$ 工艺制造。在最终传感器可供测试前，使用了 Tower 提供的测试传感器以初步了解像素的辐射耐受性。对于 ULTRASAT 任务，导致传感器辐射退化的主要因素之一是总电离剂量（TID）。已在 Helmholtz Zentrum Berlin 的 Co-60 伽马源以及 CERN 的 CC-60 设施上对测试传感器进行了 TID 测量，本文给出初步结果。

关键词

CMOS图像传感器总电离剂量 ULTRASAT 空间辐射背照式伽马源辐射耐受性

引用

@article{arxiv.2306.15307,
  title  = {Total Ionizing Dose Effects on CMOS Image Sensor for the ULTRASAT Space Mission},
  author = {Vlad D. Berlea and Steven Worm and Nirmal Kaipachery and Shrinivasrao R. Kulkarni and Shashank Kumar and Merlin F. Barschke and David Berge and Adi Birman and Shay Alfassi and Amos Fenigstein},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2306.15307},
  year   = {2023}
}

备注

Part of the conference: Frontier Detectors for Frontier Physics: 15th Pisa Meeting on Advanced Detectors, La Biodola - Isola d'Elba Published in: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment Available online 15 June 2023, 168463. In Press, Journal Pre-proof

ULTRASAT 空间任务中 CMOS 图像传感器的总电离剂量效应

摘要

关键词

引用

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