用三维晶格空间中的协变密度泛函理论研究 $^{28}$Si 中的环状态

利用三维晶格上的转动协变密度泛函理论研究了 $^{28}$Si 中自旋延伸至极高值的环状态。获得了自旋 $I$ 从 0 到 56$\hbar$ 的十三个环状态，并通过分析密度分布和势来研究它们对粒子发射的稳定性。在 $I=28$、36、44$\hbar$ 处环状态的激发能合理地再现了从 $^{28}$Si 的 7-$\alpha$ 去激发中提取的观测到的三个共振。这些环状态的 $\alpha$ 团簇性由 $\alpha$ 定域化函数所支持。