低温高密度下双色QCD的拓扑性质

研究了双色双味QCD拓扑磁化率对化学势($\mu$)的依赖性。我们发现,在温度$T \approx T_c /2$(其中$T_c$表示零化学势下的临界温度)时,拓扑磁化率在$0 \leq a\mu \lesssim 1.0$范围内几乎为常数,而在$T\approx T_c$时,其在高$\mu$区域相较$\mu=0$的值显著下降。本工作中,我们进行了$\mu/T \le 16$的模拟,该范围甚至覆盖了低温与高化学势区域。在此区域中,我们向作用量引入一个由$j$表征的双夸克源项。我们还给出了低温区域($T\approx T_c/2$)的相图结果,该结果是在对双夸克凝聚和Polyakov环取$j \to 0$极限后获得的。