来自过度改进冷却的拓扑磁化率与瞬子大小分布
高能物理 - 格点
2009-10-28 v1
摘要
我们通过使用过度改进作用量进行冷却来测量拓扑磁化率。与常规冷却不同，大瞬子可以无限期地存留于过度改进冷却中。通过改变过度改进冷却作用量的参数，我们测量了瞬子大小分布。
引用
@article{arxiv.hep-lat/9509081,
title = {Topological susceptibility and Instanton size distribution from over-improved cooling},
author = {Philippe de Forcrand and Seyong Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-lat/9509081},
year = {2009}
}
备注
4 uuencoded PostScript pages, contribution to LAT95 (fig.2 simplified to conserve space; available upon request)