Janus单层TaSSe中的拓扑配对
超导电性
2019-07-24 v1
摘要
Janus单层过渡金属二硫属化物[TMDs] MXY[M=Mo,W等,X,Y=S,Se等]近期已被合成,并且由于面外镜面对称性的破缺,其中出现了Rashba自旋分裂[\href{https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.97.235404}{Phys. Rev. B 97, 235404 (2018)}]。本文通过求解临界温度 下的线性化能隙方程,研究超导Janus单层H-TaSSe的配对对称性。我们发现H-TaSSe中的强Rashba效应可产生不同于其父层H-TaS与H-TaSe的拓扑超导态。更具体地,在化学势 eV时,我们得到一种时间反演不变的s+f+p波混合配对态。该配对态为全能隙且拓扑非平庸,即 。然而,在较低化学势下出现属于二维不可约表示 的时间反演破缺d+p+f配对。在适当的配对强度下其可承载大陈数 。结果表明单层H-TaSSe是螺旋或手性拓扑超导候选材料。
引用
@article{arxiv.1907.09925,
title = {Topological pairings in Janus monolayer TaSSe},
author = {W. P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.09925},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures