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Janus单层TaSSe中的拓扑配对

超导电性 2019-07-24 v1

摘要

Janus单层过渡金属二硫属化物[TMDs] MXY[M=Mo,W等,X,Y=S,Se等]近期已被合成,并且由于面外镜面对称性的破缺,其中出现了Rashba自旋分裂[\href{https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.97.235404}{Phys. Rev. B 97, 235404 (2018)}]。本文通过求解临界温度 TcT_c 下的线性化能隙方程,研究超导Janus单层H-TaSSe的配对对称性。我们发现H-TaSSe中的强Rashba效应可产生不同于其父层H-TaS2_2与H-TaSe2_2的拓扑超导态。更具体地,在化学势 μ>0.08\mu>-0.08eV时,我们得到一种时间反演不变的s+f+p波混合配对态。该配对态为全能隙且拓扑非平庸,即 Z2=1\mathbb{Z}_2=1。然而,在较低化学势下出现属于二维不可约表示 EE 的时间反演破缺d+p+f配对。在适当的配对强度下其可承载大陈数 C=6C=-6。结果表明单层H-TaSSe是螺旋或手性拓扑超导候选材料。

关键词

引用

@article{arxiv.1907.09925,
  title  = {Topological pairings in Janus monolayer TaSSe},
  author = {W. P. Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1907.09925},
  year   = {2019}
}

备注

6 pages, 5 figures