具有高电子迁移率与大反常霍尔效应的拓扑 Kagome 磁体 Co3Sn2S2 薄片
材料科学
2020-09-17 v1
摘要
磁性 Weyl 半金属不仅因其拓扑量子现象而备受关注，也作为在二维极限实现量子反常霍尔效应的新兴材料类。具有层状 Kagome 晶格的 shandite 化合物 Co3Sn2S2 即是此类材料之一，人们已投入大量努力以合成二维晶体。在此，我们报道通过化学气相输运法合成厚度为 250 nm 的 Co3Sn2S2 薄片。我们发现这种简便的自下而上方法可形成高质量的大尺寸 Co3Sn2S2 薄片，其中我们确定了磁性拓扑半金属中最高的电子迁移率（约 2,600 cm2V-1s-1），以及由 Berry 曲率引起的大反常霍尔电导率（约 1,400 Ω-1cm-1）和反常霍尔角（约 32%）。我们的研究为研究磁性 Weyl 半金属的高质量薄片提供了可行平台，并激励在二维极限下对未探索拓扑现象的进一步研究。
引用
@article{arxiv.2009.07431,
title = {Topological Kagome magnet Co3Sn2S2 thin flakes with high electron mobility and large anomalous Hall effect},
author = {M. Tanaka and Y. Fujishiro and M. Mogi and Y. Kaneko and T. Yokosawa and N. Kanazawa and S. Minami and T. Koretsune and R. Arita and S. Tarucha and M. Yamamoto and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.07431},
year = {2020}
}