载流子掺杂石墨烯纳米带中的拓扑畴壁
介观与纳米尺度物理
2023-07-19 v1
摘要
我们从理论上研究了掺杂锯齿形石墨烯纳米带的磁基态以及拓扑畴壁的出现。利用Hartree-Fock平均场方法与有效连续模型，我们证明了载流子掺杂稳定了一种具有交替反铁磁畴的磁结构，其中掺杂载流子定域于畴壁处的拓扑束缚态中。能谱随载流子密度表现出类Hofstadter分形谱演化，其微隙由运动畴壁中绝热电荷泵的陈数表征。对不同宽度纳米带的系统分析表明，铁磁畴壁相出现在较宽纳米带中，而共线畴壁相出现在较窄纳米带中。
引用
@article{arxiv.2303.09821,
title = {Topological Domain Walls in Graphene Nanoribbons with Carrier Doping},
author = {Takuto Kawakami and Gen Tamaki and Mikito Koshino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.09821},
year = {2023}
}
备注
14 pages, 11 figures