中文

多外尔半金属中的拓扑电荷法诺效应

介观与纳米尺度物理 2022-06-27 v2 强关联电子

摘要

我们从理论上分析了单杂质多外尔半金属杂化系统中的法诺干涉,并展示了体局域态密度中拓扑电荷法诺效应的出现。在多外尔半金属中,系统边界处费米弧的数目由拓扑电荷JJ决定,这是“体-边界”对应原理的直接结果。类似地,我们发现JJ也调制含嵌入量子杂质的体系的体法诺轮廓。因此,通过增大JJ,法诺线形从J=1J=1(单外尔)典型的共振演化为反共振,外推至所谓超外尔半金属(J1J\gg1)。特别地,对于由旋转对称性C2J=6C_{2J=6}保护的最大情形,即J=3J=3(三重外尔),其呈现非对称法诺轮廓,预测法诺参数绝对值为tan(C2J=6)\tan(C_{2J=6}),其中C2J(360/2J)C_{2J}\equiv(360^{\circ}/2J)定义旋转角。因此,JJ项中的法诺离散化在多外尔半金属中引入了拓扑电荷法诺效应。我们还提出了一种输运器件,期望可在其中探测所提法诺效应。

关键词

引用

@article{arxiv.2203.14454,
  title  = {Topological charge Fano effect in multi-Weyl semimetals},
  author = {W. C. Silva and W. N. Mizobata and J. E. Sanches and L. S. Ricco and I. A. Shelykh and M. de Souza and M. S. Figueira and E. Vernek and A. C. Seridonio},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2203.14454},
  year   = {2022}
}