当代科技与创新专题：半导体中的超快弛豫过程
材料科学
2021-10-12 v1
摘要
当今现代技术的显著发展——对世界社会的进步与福祉至关重要——给基础物理学领域，更确切地说给热力学与统计物理，带来了巨大压力。在电子学与光电子学中，我们面临涉及远离平衡态的物理化学系统的情况，其中存在超快（皮秒与飞秒尺度）和非线性过程。在此，我们以一篇扩展综述描述半导体中激发等离子体的超快弛豫过程问题。
引用
@article{arxiv.2110.05275,
title = {Topics in Present-Day Science Technology and Innovation: Ultrafast Relaxation Processes in Semiconductors},
author = {Clóves Gonçalves Rodrigues and Áurea Rosas Vasconcellos and Roberto Luzzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.05275},
year = {2021}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1210.8108