CeCoSi 的三阶段相变与场诱导相：一款拉曼理论

我们利用拉曼理论探讨了 CeCoSi 的非磁性和磁性有序相。我们的分析预测在零磁场下会发生三次连续的相变。一种在 $T_0=12$ K 以下出现的四极矩序参数对在 $T_{\rm N}=9.4$ K 以下的抗磁有序起到了弱对称破缺场的作用，导致两阶段磁相变。在较高温度的抗磁相变范围内 ($T_{\rm s2}=8~{\rm K}<T<T_{\rm N}$)，抗磁矩的垂直分量可能存在也可能不存在。如果存在，沿 [100] 和 [110] 方向施加磁场可诱导额外的磁相。