氢化二维单层LiBC中$T_{c}$高于80 K的三能隙超导电性

尽管半导体体相LiBC的金属化已在实验上实现，但通常会出现各种缺陷，包括强晶格畸变、压力下相变的不可控性。在这项工作中，基于第一性原理计算，我们提出了一种新的氢化方法来实现金属化。利用完全各向异性的Migdal-Eliashberg理论，我们研究了稳定单层LiBCH和LiCBH（分别对C和B原子进行氢化）的超导行为。我们的发现表明，这些单层具有82.0 K和82.5 K的高$T_c$，以及有趣的三能隙超导性质。费米面呈现明显的三区域分布特征和异常强的电子-声子耦合（EPC）是高$T_c$三能隙超导的原因。此外，在3.5%拉伸应变下，$T_c$可以显著提升至120.0 K。在很大程度上，高$T_c$超过了液氮温度（77 K），这有利于未来实验中的应用。这项研究不仅探索了单层LiBCH和LiCBH的超导性质，而且为寻找高$T_c$超导体提供了实用的见解。