由塞曼分裂模式引起的三维隐身至超散射
光学
2020-08-04 v1 材料科学
摘要
我们报道，在磁光辅助系统中，通过诱导非简并磁等离激元模式，可以克服基本的三维（3-D）散射单通道极限。此外，我们提出了一种三维主动（磁辅助）前向超散射至隐身开关，在同一工作波长下运行。我们的结构由一个高折射率介电核以及包覆的锑化铟（InSb）组成，这是一种其张量介电常数元可由外部磁偏置 主动操控的半导体。在不存在 时，InSb 在其等离子体频率之上和之下分别呈现各向同性 epsilon-near-zero（ENZ）和等离激元行为，这一频带可用于借助介电常数小于自由空间的隐身衣实现隐身。在高达 0.17 T 的实际 下，InSb 的旋电特性使得模式简并得以解除，并诱导出一种击败基本单通道极限的塞曼分裂型偶极磁等离激元模式。这种一体化设计允许实现功能性强且高度可调的光学器件。
引用
@article{arxiv.2008.00121,
title = {Three-Dimensional Invisibility to Superscattering Induced by Zeeman-Split Modes},
author = {Grigorios P. Zouros and Georgios D. Kolezas and Evangelos Almpanis and Kosmas L. Tsakmakidis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.00121},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures