三阶极化率：半导体中光致电流密度的通用形式体系
介观与纳米尺度物理
2008-10-29 v2
摘要
本文详细推导了半导体与多频光子场耦合至三阶时的光致电流密度，从标准教科书表达式（三重对易子的三阶时间积分）出发。由于该三重对易子存在一个重大的内在问题，直到最近，借助我们刚刚构建的复合玻色子多体理论中发展的工具，这种推导才成为可能。最终，光致电流密度以紧凑形式表示，用该理论中引入的激子-激子相互作用的泡利散射和库仑散射来描述。还给出了Shiva图表示，以更好地理解各种贡献的物理内涵。
引用
@article{arxiv.0810.3565,
title = {Third order susceptibility: general formalism for photoinduced current density in semiconductors},
author = {M. Combescot and O. Betbeder-Matibet},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.3565},
year = {2008}
}
备注
added subsection on diagram representation with one figure; added some references; small correction in the last part of the discussion