硅表面 8CB 液晶薄膜的薄 - 厚共存行为

通过光学和 X 射线反射率测量，研究了 4'-正辛基 -4-氰基联苯（8CB）在硅表面的薄膜润湿行为。获得了实验相图，显示了一个广泛的厚 - 薄共存区域，跨越了体各向同性 - 向列相（$T_{IN}$）和向列相 - 近晶 A 相（$T_{NA}$）转变温度。对于覆盖度在 47 到 $72\pm3$ nm 之间的硅表面，随着温度升高，观察到两次再入润湿行为，分别在 $T_{IN}$ 和 $T_{NA}$ 附近具有独立的共存行为。然而，对于小于 47 nm 的覆盖度，这两种共存行为合并为单一的共存区域。在二阶 NA 转变附近观察到的薄 - 厚共存是任何先前的理论或实验所未预期的。尽管如此，共存区域内薄相和厚相的行为与这是一种平衡现象是一致的。