半导体中的热尺寸电势
介观与纳米尺度物理
2017-08-23 v1
摘要
热尺寸结（thermosize junction）由同种材料制成的两种不同尺寸的结构组成。经典与量子热尺寸效应（CTSE 与 QTSE）彼此相反，会在热尺寸结中诱导出一种热尺寸电势（thermosize potential）。本文提出一种半解析方法，通过同时考虑半导体热尺寸结中的 CTSE 与 QTSE，来计算大范围简并度与限域条件下的热尺寸电势。考察了热尺寸电势对温度、尺寸与简并度的依赖关系。结果表明，作为 CTSE 与 QTSE 的联合效应，可诱导出毫伏量级的电势差。在获得完全解析解的非简并极限下，电势达到最高。该模型可用于设计半导体热尺寸器件，以期为 CTSE 与 QTSE 提供可能的实验验证，并由此催生新型纳米能量转换器件。
引用
@article{arxiv.1705.05695,
title = {Thermosize potential in semiconductors},
author = {Sevan Karabetoglu and Altug Sisman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05695},
year = {2017}
}
备注
10 pages 5 figures and 1 table