近藤半导体YbB12中自旋激子的理论
强关联电子
2009-03-10 v1
摘要
近藤半导体YbB12表现出约15 meV的自旋和电荷能隙。先前的非弹性中子散射实验在能隙附近识别出窄的色散集体激发。我们提出了这些激发的理论分析。从晶体电场（CEF）分裂的4f态的周期安德森模型出发，我们在奴隶玻色子平均场近似下推导了杂化准粒子能带，并在随机相位近似（RPA）下计算了动量依赖的动态磁化率。我们表明，两个CEF（准）四重态的杂化微小差异导致在连续谱阈值处出现两个色散自旋共振激发。它们的强度在反铁磁（AF）区边界点处最大，并且具有向上色散，在进入布里渊区不到一半处与连续谱合并。我们的理论分析解释了先前关于YbB12磁激发的实验中未解释的最显著特征。
引用
@article{arxiv.0901.3247,
title = {Theory of Spin Exciton in the Kondo Semiconductor $Yb B_{12}$},
author = {Alireza Akbari and Peter Thalmeier and Peter Fulde},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.3247},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures, To be published in Physical Review Letters