半导体双微腔中光控各向异性极化子输运理论
介观与纳米尺度物理
2018-02-14 v1 光学
摘要
半导体微腔中的激子极化子表现出许多基础物理效应，其中一些可由外场控制。极化子输运受极化子自旋轨道相互作用影响，该作用由横电和横磁（TE-TM）模式分裂引起。这是极化子霍尔效应（称为光学自旋霍尔效应OSHE）的基础，与动量空间中自旋/偏振织构的形成有关，决定了各向异性弹道输运，以及实空间中的相关织构。由于极化子激子组分间的库仑相互作用，极化子的光学激发可影响OSHE。我们提出对半导体双微腔（即两个光学耦合腔）中OSHE及其光学控制的理论分析，双微腔特别适合创建影响自旋织构形成极化子的极化子储库。该理论用一组双腔自旋极化子Gross-Pitaevskii方程表述。数值解的特征包括动量空间中自旋织构的受控旋转等。该理论还允许在现象学赝自旋模型中，通过激子相互作用和第二下极化子分支中的极化子密度，识别决定光学控制的有效磁场分量。
引用
@article{arxiv.1705.01124,
title = {Theory of optically controlled anisotropic polariton transport in semiconductor double microcavities},
author = {S. M. H. Luk and P. Lewandowski and N. H. Kwong and E. Baudin and O. Lafont and J. Tignon and P. T. Leung and K. P. Chan and M. Babilon and S. Schumacher and R. Binder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.01124},
year = {2018}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1607.03530