基于密度泛函理论计算的 $\alpha$-U/W(110) 薄膜理论研究：结构、磁性与电子性质
介观与纳米尺度物理
2012-01-12 v1 强关联电子
摘要
在密度泛函理论框架内，计算了优化后的 -U/W(110) 薄膜（TFs）的结构、电子与磁性性质。我们对 1U/7W(110) 的优化表明，与我们计算得到的体态 W-W 层间距（ILS）相比，U-W 垂直层间距扩张了 14.0%。在 1U/7W(110) 界面处，每个 U 原子的自旋和轨道磁矩（MMs）从 -U 体态的零分别增强至 1.4 和 -0.4 。相反，我们对 3U/7W(110) 薄膜的结果表明，与所得体态 U-U 层间距相比，表面 U-U 层间距收缩了 15.7%。随后发现，1U/7W(110) 中增强的自旋和轨道磁矩在 3U/7W(110) 中被抑制至可忽略的体态数值。计算得到的态密度（DOS）证实了磁矩的增强与抑制，并表明总态密度在费米能级附近由 U 的 5f 态主导，这与实验结果一致。我们评估了非磁性 W(110) 衬底的邻近效应与晶格失配效应，发现它们对该系统具有重要作用。
引用
@article{arxiv.1112.2736,
title = {Theoretical study of $\alpha$-U/W(110) thin films from density functional theory calculations: Structural, magnetic and electronic properties},
author = {M. Zarshenas and S. Jalali Asadabadi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2736},
year = {2012}
}
备注
Thin Solid Films 2011