量子涡旋玻璃转变附近电阻行为的理论描述

基于包含微观细节的 s 波配对情形的量子 Ginzburg-Landau (GL) 作用量，研究了反映量子涡旋玻璃 (VG) 转变（即 T=0 时的场调谐超导-绝缘体转变）的非零温度 (T > 0) 下的电阻行为。基于从 GL 方法中排除的涨落电导项与观测到的负磁阻之间的一致性，假设了配对场的常规耗散动力学。结果表明，在 VG 转变场 $B_{vg}$ 处，VG 对二维涨落电导的贡献 $G_{vg}(B=B_{vg}, T \to 0)$ 取决于电子间排斥相互作用的强度，仅在忽略电子排斥的常规脏极限下才取普适值。基于我们的结果讨论了 $B_{vg}$ 附近现有的电阻率数据，并简要评述了向 d 波配对情形和三维系统情形的推广。