增强暗物质的自旋相关散射

增强暗物质为探测轻暗物质提供了一种有前景的途径，其自旋无关散射过程中的计算框架已较为完善。然而，自旋相关散射缺乏统一处理。本文的新颖之处在于首次给出增强暗物质在自旋相关散射中截面的全面推导。当转移动量足够大时，时间分量对质子结构因子有可观的增强。此外，我们发现即使在无轻媒介子的情况下，夸克-核子匹配过程中仍存在残动量依赖。此类行为相比传统接触相互作用可提升灵敏度。我们通过地面数据推导了对亚 GeV 自旋相关增强暗物质的直接限制，推进了此项研究。文中明确给出了增强结构因子与非相对论结构因子的数值结果，表明增强结构因子的排除区域约比非相对论结构因子大六个数量级。