eN 共线框架下的半inclusive深度非弹性散射

深度非弹性散射是研究核子结构最重要的过程之一。对 inclusive 与 semi-inclusive 情形的理论计算通常在虚光子-核子共线框架下进行，其中虚光子不具有横向分量。该框架下的表达式形式相对简单。然而，在电子-核子共线框架下计算散射过程也很有意义，由此可获得新的测量方案。本文中，我们重新考量电子-核子共线框架下的半inclusive深度非弹性散射过程，并给出方位角不对称性与夸克内禀不对称性的结果。我们发现这两个框架下的微分截面在领头扭度层级相同，但在高扭度层级不同。两框架下的方位角不对称性与内禀不对称性形式相同但运动学因子不同。为完整起见，我们的计算中同时考虑了电磁与弱相互作用。该散射过程中的中性流测量可用作电弱精确检验，从而提供对电弱耦合的新精确测定。