HgTe 基三端子 Josephson 结的磁场偏置电流相互作用
软件工程
2025-12-16 v1
摘要
我们研究了基于 HgTe/Nb 的 T 形和 X 形几何结构的三端子 Josephson 结及其临界电流等值线（CCCs）。通过分解 CCCs 贡献，揭示了偏置电流与磁场共同决定集体 Josephson 行为的方式。垂直磁场可控地引起 SQUID 类与 Fraunhofer 类干涉图样之间的临界性转变，由施加的偏置控制。此外，磁通产生明显的 CCC 形变，实现 平面中的对称性控制。令人惊讶的是，我们识别出一种强增强 Josephson 二极管效率的 regime，低偏置和磁场下可达 。实验结果由电阻串联 Josephson 结（RSJ）仿真量化再现，这些仿真捕捉了多端口超导体系统中电流与磁通耦合动力学。
引用
@article{arxiv.2512.12326,
title = {The Role of AI in Modern Penetration Testing},
author = {J. Alexander Curtis and Nasir U. Eisty},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.12326},
year = {2025}
}