具有[0001] InGaN单量子阱的光致发光中光学不稳定性与吸附材料的关系
光学
2016-01-11 v1 材料科学
摘要
在本快报中，我们旨在阐明在InGaN单量子阱(SQW)中观察到的所谓光学记忆效应和闪烁现象的物理机制。我们发现，记忆效应和闪烁现象的光学响应均受不同激发波长以及晶体表面气体吸附变化的影响。给出了一个重现样品表面吸附气体分子覆盖度动力学的模型，并与实验数据比较，显示出明显吻合。
引用
@article{arxiv.1601.01976,
title = {The relation between optical instabilities and absorbed material in photoluminescence with [0001] InGaN single quantum well},
author = {T. Tsutsumi and G. Alfieri and Y. Kawakami and R. Micheletto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01976},
year = {2016}
}
备注
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