比特写入操作耗散的非朗道尔界
统计力学
2023-07-19 v1 应用物理
摘要
我们提出了一种在任何情况下通过任意阻性器件传输一定量电荷所需最小耗散的新界。我们以通过各类线性或非线性器件将逻辑 1（编码为给定电压）写入电容的任务为例说明了该界。我们表明，尽管著名的朗道尔界（仅适用于比特擦除）在此不适用，仍可以给出一个依赖于操作时间预算以及驱动器件平均电导的“非朗道尔”耗散下界。我们将该界与文献中报道的经验结果以及十纳米级 CMOS 传输门与通断门的实际仿真进行比较。我们的非朗道尔界被证明是评估写入操作（非）最优性的定量基准。
引用
@article{arxiv.2307.08993,
title = {The non-Landauer Bound for the Dissipation of Bit Writing Operation},
author = {Léopold Van Brandt and Jean-Charles Delvenne},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.08993},
year = {2023}
}