高红移NV吸收体的性质

我们展示了在19个类星体的光学光谱中，对红移1.5 < z < 2.5的NV吸收系统的研究。我们的分析既包括来自星系际介质的吸收体，也包括背景类星体附近的系统。我们构建了详细的光致电离模型，以研究吸收体中的物理条件和丰度，并约束电离辐射的光谱硬度。介入型NV成分的入射率为dN/dz = 3.38 ± 0.43，对应dN/dX = 1.10 ± 0.14。柱密度分布函数的拟合斜率为β = 1.89 ± 0.22，与CIV和OVI的测量结果一致。窄线宽（b_NV ~ 6 km/s）表明光致电离而非碰撞是主导电离过程。CIV和NV的柱密度相关，但介入型和关联型吸收体的斜率不同，这表明电离光谱不同。发现关联型系统比介入型吸收体更富金属、密度更大且更致密。这一结论与所采用的电离辐射无关。对于介入型NV系统，我们得到[C/H]的典型值约为-0.6，n_H约为10^-3.6 cm^-3，大小为几kpc；而对于关联型NV吸收体，我们得到[C/H]约为+0.7，n_H约为10^-2.8 cm^-3，大小为几十pc。氮相对于碳的丰度[N/C]以及相对于氧和硅等α元素的丰度[N/α]与[N/H]相关，表明存在次级氮的增丰。介入型系统中[N/α]的较大离散度表明星系际介质的增丰不均匀。[N/α]与[α/C]之间存在反相关，这可用于约束产生碳和氮的恒星族的初始质量函数。