高电压下量子点中的Kondo效应：普适性与标度
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 强关联电子
摘要
我们研究了处于Coulomb阻塞区且施加直流偏置的量子点的性质。对于电压V远大于Kondo温度T_K的情况，物理性质由标度V和gamma主导，其中gamma ~ V/ln^2(V/T_K)是由电压驱动电流诱导的非平衡退相干率。基于标度论证、自洽微扰论和微扰重整化群，我们论证了由于gamma较大，当ln(V/T_K) >> 1时，系统可用重整化微扰论来描述。然而，在Kondo问题的某些变体中，大电压V会诱导出双通道Kondo物理。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105032,
title = {The Kondo effect in quantum dots at high voltage: Universality and scaling},
author = {A. Rosch and J. Kroha and P. Wölfle},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105032},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures