十个富电子/³He 太阳高能粒子事件的注入过程
太阳与恒星天体物理
2016-05-26 v1 空间物理
摘要
我们利用 1.2 AU 的粒子路径长度(由速度弥散分析建议),推导了十个优质富电子/³He 太阳高能粒子(SEP)事件在太阳上的粒子注入过程。推断出的高能(10 至 300 keV)电子和 MeV/核子离子(碳及更重离子)的太阳注入,分别比低能(0.4 至 9 keV)电子注入延迟 173 分钟和 7514 分钟开始。注入持续时间(能量平均)对离子约为 200 至 550 分钟,对低能电子约为 90 至 160 分钟,对高能电子约为 10 至 30 分钟。所选事件大多没有报道的 H 耀斑或 GOES SXR 爆发,但都有 III 型射电爆发,通常开始于低能电子注入开始之后。所有九个有 SOHO/LASCO 覆盖的事件都有一个相对快速(570km/s)、大多狭窄(30)的西边缘日冕物质抛射(CME),其在低能电子注入开始时附近启动,并分别在高能电子注入和离子注入开始时达到 1.0 和 4.7 的平均高度。电子能谱显示出跨越低能到高能过渡区的连续幂律谱,表明低能电子注入可能为延迟的高能电子加速提供种子电子。延迟的离子注入和高电离态可能表明离子加速发生在 CME 较低高度的侧翼,而非其鼻端。
引用
@article{arxiv.1605.07882,
title = {The injection of ten electron/$^{3}$He-rich SEP events},
author = {Linghua Wang and Säm Krucker and Glenn M. Mason and Robert P. Lin and Gang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.07882},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 4 figures, 1 table