SIDIS中单自旋不对称性的 $g_T(x)$ 贡献

受我们部分人揭示的半inclusive深度非弹性散射（SIDIS）中横向单自旋不对称（SSA）的新起源的启发，我们定量研究了其对SSA机制理论理解的影响。来自夸克发起通道的这一新贡献首次出现在双圈微扰理论中，并涉及 $g_T(x)$ 分布。我们指出来自胶子发起通道的另一完全类似的项，其与胶子螺旋度分布 $\Delta G(x)$ 成正比。两项均仅用Wandzura-Wilczek近似中的扭二极化部分子分布函数和扭二碎裂函数表示，从而可在不引入自由参数的情况下被明确计算。我们对未来电子-离子对撞机（EIC）上的不对称性 $A_{UT}$ 测量做出预言，发现与 $\sin (\phi_h-\phi_S)$、$\sin \phi_S$ 和 $\sin (2\phi_h-\phi_S)$ 谐波相关的 $A_{UT}$ 即使在EIC最高能量下也可达1-2%。