欠掺杂高 $T_c$ 超导铜氧化物的费米面

本文在奴隶玻色子方法框架内考虑了 $\pi$-通量态和 d 波 RVB 态的共存。发现了一个临界掺杂浓度 $\delta_c$，低于该浓度时，共存的 $\pi$-通量和 d 波 RVB 态在能量上更有利。计算了自旋子的赝费米面和物理电子谱函数。在 (0,0) 到 ($\pi$, $\pi$) 方向上发现了清晰的费米能级穿越，但在 ($\pi$, 0) 到 ($\pi$, $\pi$) 方向上未检测到此类穿越。此外，在我们的计算中，费米能级处出现了 d 波对称性的能隙。上述结果与角分辨光电子发射实验一致，这些实验表明欠掺杂铜氧化物中存在 d 波赝隙和半口袋状费米面。