BaVS3的电子结构和相
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
BaVS3是一个具有丰富相图的适度关联d电子系统。为了构建相应的最小电子模型，必须确定哪些d态被占据，以及占据程度如何。这里展示的ARPES实验表明，BaVS3的行为由宽带（A_1g）和窄带（双重简并E）d电子的共存所主导。我们勾勒了一个可以作为BaVS3最小模型的晶格费米子模型。这首先有助于理解纯BaVS3中的金属-绝缘体转变及其在一些相关化合物中的缺失。低温磁有序的性质对于几个可以用相同电子模型描述的系统是不同的。我们描述了一些近期实验，这些实验提供了高压下磁有序的信息。特别是，我们讨论了在略低于临界压力下场诱导的绝缘体-金属转变，以及高压金属相中磁有序的证据。还讨论了Sr掺杂BaVS3的相图。BaVS3相的复杂性源于它同时对几种不稳定性不稳定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702510,
title = {The electronic structure and the phases of BaVS3},
author = {P. Fazekas and K. Penc and K. Radnoczi and N. Barisic and H. Berger and L. Forro and S. Mitrovic and A. Gauzzi and L. Demko and I. Kezsmarki and G. Mihaly},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702510},
year = {2007}
}
备注
Presented at the International Conference on Magnetism 2006 (Kyoto), 6 pages, 9 figures