轻穿越夸克模型下伪标量介子的电磁散射因子

本文在轻穿越夸克模型（LFQM）下研究了伪标量介子的电磁散射因子（EMFFs）和电荷半径。我们使用来自介子衰变常数的约束参数，获得了数值结果，指示以下几点：（i）带电介子和中性介子的 EMFF 在端点行为上存在显著差异，但在高动量传递（$Q^2$）区域显示相似的渐近行为。对于光介子如 $\pi$ 和 $K^+$，我们的结果在低 $Q^2$ 区域与实验数据高度一致。对于介子的电荷半径，我们的结果也与其他方法的预测呈一定的一致性。（ii）对于带电介子，其 $Q^2 F_P(Q^2)$ 的峰值大约与其 constituent 夸克之间的质量差 $\Delta m$ 成正比。此外，带电介子的均方半径 $\leftlangle r^2 \rightrangle_P$ 随介子质量的增加和 $\Delta m$ 的减小而减小。对于中性介子，其电荷半径主要由重夸克的电荷决定。这表明，夸克质量不对称性显著影响 EMFF 和介子电荷半径的行为。因此，测试这些预测的实验数据将大大具有意义。