近藤区弹道晶体管中侧陷阱的影响
强关联电子
2009-11-11 v2
摘要
在玻色子平均场理论的范围内计算了侧陷阱对电导的影响，特别是当导体两侧都有电极时。这对应于对未来弹道晶体管中输运性质的研究。由于干涉效应（Fano-Kondo效应）产生的固有凹陷有望被观察到，这是物理与工程器件之间有趣的相互作用之一。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608011,
title = {The Effect of Side Traps on Ballistic Transistor in Kondo Regime},
author = {Tetsufumi Tanamoto and Ken Uchida and Shinobu Fujita},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608011},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 5 figures. 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Sept. 12-15, 2006, Yokohama, Japan