金属厚度对 Si 线到等离子体槽波导模式转换的影响
应用物理
2018-01-04 v1 光学
摘要
我们研究了在 1550 nm 通信波长下 Si 线到等离子体槽波导的模式转换器。该结构基于锥形几何。我们给出了在 30-250 nm 范围内一系列金属（Au）厚度下具有超过 90% 功率传输的最优尺寸。我们提供了关于如何区分总功率与等离子体槽波导主模中功率的细节。我们的分析基于槽波导模式在适当内积定义下的正交性。我们的结果对于降低等离子体调制器的插入损耗和误码率是相关的。
引用
@article{arxiv.1801.00833,
title = {The Effect of Metal Thickness on Si Wire to Plasmonic Slot Waveguide Mode Conversion},
author = {Şükrü Ekin Kocabaş},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.00833},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 7 figures, 2 tables, preprint version of the published paper, includes only the English abstract