硫族元素对二维铁磁材料三溴化铬的掺杂效应
材料科学
2018-12-18 v1
摘要
近来在二维单层三卤化铬中发现磁有序开启了二维材料的新研究领域。我们使用第一性原理计算系统考察硫族元素对CrBr3的掺杂效应。在S掺杂情形下，预测四种稳定构型Cr2Br5S、Cr2Br4S2-A、Cr2Br4S2-B与Cr2Br3S3-A为铁磁半导体。发现原带隙中出现的新能带由S-p与Cr-d-eg轨道构成，导致带隙明显减小及可见光范围内光吸收增强。由于硫族掺杂后价电子减少，磁矩亦随S原子增多而减小，且在宽应变范围内始终保持铁磁半导体特性。结果表明，硫族掺杂的单层CrBr3为调控磁性及拓展光电应用提供了有效途径。
引用
@article{arxiv.1812.06567,
title = {The Doping effect of Chalcogen on the Two-Dimensional Ferromagnetic Material Chromium Tribromide},
author = {Yanfeng Ge and Qiaoqiao Li and Wenhui Wan and Jian-Min Zhang and Wenhui Xie and Yong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06567},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 10 figures