太赫兹电子顺磁共振广义光谱椭偏术：4H-SiC中氮缺陷的磁响应
材料科学
2022-03-23 v1
摘要
我们报道了太赫兹（THz）电子顺磁共振广义光谱椭偏术（THz-EPR-GSE）。以4H-SiC中与氮缺陷相关的自旋跃迁所引起的磁响应的场依赖和频率依赖测量为例展示。THz-EPR-GSE免除了对谐振腔的需要，允许独立扫描场和频率参数，且不需要场或频率调制。我们研究了六方（）和立方（）配位的氮的自旋跃迁及其核自旋（I=1）的耦合，并提出了一种用于磁化率以解释自旋跃迁的模型方法。从THz-EPR-GSE测量中我们可以完全确定自旋跃迁的偏振特性，并使用磁场和频率依赖的洛伦兹振子线型函数获得和超精细分裂参数。我们提出频率扫描THz-EPR-GSE作为一种研究固态材料中自旋性质的新且通用的方法。
引用
@article{arxiv.2201.06695,
title = {Terahertz electron paramagnetic resonance generalized spectroscopic ellipsometry: The magnetic response of the nitrogen defect in 4H-SiC},
author = {Mathias Schubert and Sean Knight and Steffen Richter and Philipp Kühne and Vallery Stanishev and Alexander Ruder and Megan Stokey and Rafal Korlacki and Klaus Irmscher and Petr Neugebauer and Vanya Darakchieva},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.06695},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 5 figures