tWSe$_2$ 中区间谱相干反歧铁磁序及其拓扑超导性理论

最近观察到的在费米面被重构的绝缘或金属态附近出现超导性，表明扭绕双层 WSe$_2$ 成为研究强电子-电子相互作用、破坏对称性与拓扑性相互作用的激动人心平台。本文中，我们采用一种无偏于电子不稳定性的材料特异理论方法，研究扭绕 WSe$_2$ 由栅极屏蔽库仑相互作用驱动的电子有序性。我们构建指数局化的莫尔 Wannier 轨道，忠实地捕捉系统的能带结构和拓扑性，将栅极屏蔽库仑相互作用投影到这些轨道上，并使用无偏函数 renormalization 群技术解析主要不稳定性的动量和轨道结构及相关能尺度。我们发现区间谱相干反歧铁磁 (IVC-AFM) 序与手性、混合奇偶性 $d/p$-波超导性在载流子浓度接近位移场和扭角可调谐的 van Hove 奇点附近相互作用。我们的微观方法确立了不连续的 IVC-AFM 自旋涨落为扭绕 WSe$_2$ ($\theta = 5.08^{\circ}$) 中超导性形成的主要电子机制，并解释了最近实验的关键方面，包括相对于 van Hove 线的自旋有序对称性、有序 (掺空) IVC-AFM 相中 DOS 的单峰和双峰结构、跨越 van Hove 线时超导性的出现以及随扭角变化 ($3.7^{\circ} \dots 5^{\circ}$) 的位移场-载流子相图演化。