几何阻挫 CePdAl 的温度-磁场相图
强关联电子
2016-12-21 v1
摘要
通过低至 = 40 mK 的电阻率和交流磁化率测量，我们为几何阻挫重费米子化合物 CePdAl 构建了一个丰富的温度-磁场相图。在零温极限下，该化合物中磁场诱导的反铁磁性抑制在 35 T 的临界磁场区域内导致了一系列相变/渡越，而非单一的临界点。在最低温区，对温度依赖电阻率的幂律描述给出 ，且对于所有施加的磁场均有 2。然而，当假设存在一个来自类磁振子激发的额外电子散射通道时，可以提取出一个温度的二次方电阻率项，其系数 在趋近临界区域时发散。我们的观测表明，CePdAl 是研究近藤屏蔽与几何阻挫之间竞争所产生的新奇物理的一个新平台。
引用
@article{arxiv.1608.07123,
title = {Temperature-field phase diagram of geometrically frustrated CePdAl},
author = {Hengcan Zhao and Jiahao Zhang and Sile Hu and Yosikazu Isikawa and Jianlin Luo and Frank Steglich and Peijie Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.07123},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 5 figures