Zn 掺杂 LSCO 系统温度依赖极化 XANES 谱

铜氧化物似乎以新颖方式表现出统计特性、二维性和相变。这些材料中的激发[即准粒子或集体激发]、自旋-电荷分离、条纹[静态和动态]、非均匀性、伪间隙、掺杂效应[如 Zn、Ni]以及其他现象必须被一致地理解。通过 TSFZ 技术生长了 Zn 掺杂的 LSCO 单晶。在 10 K 到 300 K 之间，以荧光模式在 BL13-B1[光子厂]测量了温度依赖的极化 XANES[近边局部结构]谱。由于条纹和非磁性 Zn 掺杂取代 Cu 都导致电荷和自旋分布不均匀，理解 Zn 掺杂与条纹之间的相互作用是有趣的。为了理解这些问题，我们采用了 Zn 掺杂方法，结果如下：谱表现出对极化角 $\theta$ 的强烈依赖，这一点在任何温度下通过比较电场向量平行于 ab 面和平行于 c 轴的谱图中都清晰可见。通过使用 XANES[温度]差谱，我们确定了该样本的 T*[我们实验发现，T* $\approx$ 160-170 K]。XANES 差谱显示，XANES 特征的变化在 ab 面大于 c 轴，这一趋势是合乎预期的，因为锌掺杂在 ab 面上的铜位点上。我们的研究还补充了文献中的结果，即锌掺杂不影响 c 轴传输。