台湾及西太平洋上空高能电子导致的总电子含量增强
空间物理
2013-01-14 v1
摘要
在地磁扰动期间，内辐射带的高能电子可以穿透位于顶部赤道电离层高度（<1000 km）的漂移壳禁戒区。先前已揭示正电离层暴与禁戒区约 900 km 高度处强烈的准捕获 30-keV 电子通量之间存在良好的相关性。在本工作中，我们利用统计数据验证了一个假设，即顶部赤道电离层中的强电子通量可能是低纬电离层电离的重要来源。关于高能电子的数据 obtained 自 1999 年至 2006 年期间 62 次强地磁暴时期的极轨卫星。利用全球垂直总电子含量（VTEC）电离层图确定了电离层对所选地磁暴的响应。针对 2004 年 11 月 9 日一次重大地磁暴的个例研究提供了实验证据，支持低纬度地区正电离层暴期间高能电子具有显著的电离效应。对九次地磁暴的统计分析表明，无论地方时和地磁暴相位如何，VTEC 的增加都与强烈的 30-keV 电子通量同时发生且共存。我们得出结论，顶部低纬电离层中极强烈的 30-keV 电子通量可对局部正电离层暴贡献约 10 - 30 TECU。
引用
@article{arxiv.1301.2414,
title = {TEC enhancement due to energetic electrons above Taiwan and the West Pacific},
author = {A. V. Suvorova and L. -C. Tsai and A. V. Dmitriev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2414},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 4 figures, 1 table accepted for publication in Terrestrial, Atmospheric and Oceanic Sciences (TAO), Dec. 2012 A special issue on "Connection of solar and heliospheric activities with near-Earth space weather: Sun-Earth connection"