基于放电等离子体纹理化技术制备c轴取向CaKFe$_4$As$_4$超导bulk
超导电性
2024-04-01 v1 材料科学
摘要
晶粒对齐是决定超导bulk性能的关键因素。本研究采用放电等离子体纹理化（Spark Plasma Texturing, SPT）技术制备了CaKFeAs超导bulk。X射线衍射和电子背scatter衍射显示，SPT bulk中CaKFeAs晶粒的c轴均匀取向，表明SPT技术在实现c轴纹理方面是有效的。此外，化学成分分析显示，影响晶粒边界特性以决定晶粒间临界电流密度（）的氧化物杂质在SPT bulk中是随机分布的。磁化测量显示，SPT bulk的值分别在自场和5 T磁场下4.2 K时分别达到127 kA cm和26 kA cm。这些结果表明，SPT技术是获取用于高场应用的高性能超导bulk材料的有前景的方法。
引用
@article{arxiv.2403.19984,
title = {Synthesis of $c$-axis textured CaKFe$_4$As$_4$ superconducting bulk via spark plasma texturing technique},
author = {Shigeyuki Ishida and Yoshihisa Kamiya and Yoshinori Tsuchiya and Pavan Kumar Naik Sugali and Yasunori Mawatari and Akira Iyo and Yoshiyuki Yoshida and Hiroshi Eisaki and Kenji Kawashima and Hiraku Ogino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.19984},
year = {2024}
}