电荷有序 Kagome 金属 CsV$_3$Sb$_5$ 中的可切换手性输运

当电导体与其镜像不同时，会出现非手性金属中禁戒的异常手性输运系数，例如称为电子磁手性各向异性（eMChA）的非线性电响应。尽管在许多无反演中心的导体中，手性输运特征在对称性上是允许的，但只有在极少数情况下，当存在与巡游电子异常强的手性耦合时，其才达到可观的水平。迄今为止，手性输运的观测仅限于原子位置强烈破缺镜像对称性的材料。在此，我们报道了在中心对称层状 Kagome 金属 CsV$_3$Sb$_5$ 中通过面内磁场下的二次谐波生成观测到的手性输运。eMChA 信号仅在温度低于 $T'\sim$ 35 K 时变得显著，即远在 CsV$_3$Sb$_5$ 的电荷有序态内部（$T_{\mathrm{CDW}}\sim$ 94 K）。这一温度依赖性揭示了电子手性、单向电荷序与由假想轨道环流引起的自发时间反演对称性破缺之间的直接对应关系。我们表明，手性由面外磁场分量设定，并且可以通过改变磁场符号诱导从左旋到右旋输运的转变。CsV$_3$Sb$_5$ 是第一种可通过微小磁场变化控制和切换强手性输运的材料，这与结构手性材料形成鲜明对比——这是其在手性电子学中应用的先决条件。