利用失谐脉冲实现量子发射体布居的上摆

量子发射体中激发态的受控制备是其用作单光子源——量子技术的关键构建模块——的先决条件。本文提出一种使用离共振脉冲的相干激发方案。在通常的拉比方案中，这些脉冲不会导致显著布居。这通过使用频率调制脉冲来上摆激发态布居得以克服。使用两个具有同号不同强失谐的脉冲可获得相同效果。我们从理论上分析了该方案对半导体量子点的适用性。在这种情况下，激发位于带隙下方若干meV处，即远离检测频率，便于光谱滤波，且不依赖于声子等任何辅助粒子。我们的方案有潜力产生近乎理想的 photons。