囚禁离子量子比特对低剂量辐射源的敏感性
量子物理
2021-10-26 v2 原子物理
摘要
我们通过实验研究了囚禁离子量子系统对少量电离辐射的实时敏感性。我们将离子阱装置暴露于多种 、 和 源下，并测量由此引起的囚禁离子量子比特寿命、相干时间、门保真度以及运动加热率的变化。在所有进行的测量中，我们发现低剂量辐射源的存在未导致离子阱性能出现可量化的退化。这一发现对于在极端环境中使用基于离子的量子信息系统的长远前景令人鼓舞，表明可能需要大得多的剂量才会诱发囚禁离子量子处理器中的错误。
引用
@article{arxiv.2105.02753,
title = {Susceptibility of Trapped-Ion Qubits to Low-Dose Radiation Sources},
author = {Jiafeng Cui and A. J. Rasmusson and Marissa D'Onofrio and Yuanheng Xie and Evangeline Wolanski and Philip Richerme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.02753},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 3 figures, 1 table, slightly revised text