表面钝化抑制卤化物钙钛矿中的局域离子运动

我们使用扫描探针显微镜研究了含甲脒（FA）的卤化物钙钛矿半导体 $Cs_{0.22}FA_{0.78}Pb(I_{0.85}Br_{0.15})_3$ 在存在与不存在化学表面钝化情况下的离子迁移。我们在电压极化后使用扫描开尔文探针显微镜（SKPM）测量演化的接触电势差（CPD）。我们发现，控制膜在仅以 3V 极化几秒后，离子迁移导致 CPD 发生约 100 mV 的偏移。此外，我们发现离子迁移是异质的，畴界面导致 CPD 更大的偏移。应用 (3-氨基丙基)三甲氧基硅烷（APTMS）作为表面钝化剂进一步使 CPD 偏移降低 5 倍，从约 100 meV 降至约 20 meV。我们使用高光谱显微镜表明，APTMS 处理的钙钛矿薄膜比控制膜经历更少的光诱导卤化物迁移。我们将这些结果解释为由于 APTMS 钝化降低了卤化物空位浓度。