界面密度过渡层对 Richtmyer-Meshkov 不稳定性的抑制
等离子体物理
2020-07-15 v1 高能天体物理现象
摘要
我们通过流体力学数值模拟研究了接触间断处平滑过渡层对 Richtmyer-Meshkov 不稳定性(RMI)增长的影响,并推导了抑制该不稳定性的经验条件。当厚度 小于界面调制波长 时,过渡层对 RMI 影响甚微。然而,若过渡层宽度大于 ,则与 RMI 相关的扰动速度显著降低。该抑制条件可理解为:激波穿过过渡层的渡越时间长于调制波长的声速穿越时间。涨落动能随 衰减,其中 ,这表明 RMI 的增长速度因过渡层的存在而按比例 减小。我们发现此特征具有普适性,并出现在广泛的激波-界面相互作用中。
引用
@article{arxiv.2006.03261,
title = {Suppression of the Richtmyer-Meshkov Instability due to a Density Transition Layer at the Interface},
author = {Takayoshi Sano and Kazuki Ishigure and Fransisco Cobos-Campos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.03261},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 8 figures, 1 table, accepted for publication in PRE