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界面密度过渡层对 Richtmyer-Meshkov 不稳定性的抑制

等离子体物理 2020-07-15 v1 高能天体物理现象

摘要

我们通过流体力学数值模拟研究了接触间断处平滑过渡层对 Richtmyer-Meshkov 不稳定性(RMI)增长的影响,并推导了抑制该不稳定性的经验条件。当厚度 LL 小于界面调制波长 λ\lambda 时,过渡层对 RMI 影响甚微。然而,若过渡层宽度大于 λ\lambda,则与 RMI 相关的扰动速度显著降低。该抑制条件可理解为:激波穿过过渡层的渡越时间长于调制波长的声速穿越时间。涨落动能随 LpL^{-p} 衰减,其中 p=2.5p = 2.5,这表明 RMI 的增长速度因过渡层的存在而按比例 Lp/2L^{-p/2} 减小。我们发现此特征具有普适性,并出现在广泛的激波-界面相互作用中。

关键词

引用

@article{arxiv.2006.03261,
  title  = {Suppression of the Richtmyer-Meshkov Instability due to a Density Transition Layer at the Interface},
  author = {Takayoshi Sano and Kazuki Ishigure and Fransisco Cobos-Campos},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2006.03261},
  year   = {2020}
}

备注

11 pages, 8 figures, 1 table, accepted for publication in PRE