BiFeO$_3$ 超薄外延多层膜中磁性的抑制

本手稿完善了两篇近期研究文章中提出的工作 [K. Koumpouras 和 I. Galanakis, \textit{J. Magn. Magn. Mater.} 323, 2328 (2011); \textit{ibid}, \textit{J. Spintron. Magn. Nanomater.} 1, in press]。文中展示了使用 QUANTUM-espresso 软件包 [P. Giannozzi 等，\textit{J. Phys.:Condens. Matter} 21, 395502 (2009)] 对 BiFeO$_3$ 磁电化合物与各类间隔层之间的超薄外延多层膜磁性行为进行的初步第一性原理计算。我们考虑的间隔层包括：i) InP 半导体，ii) 铁磁体 Fe，以及 iii) 金属 V。在所有研究案例中，多层膜的生长轴均为 [001] 方向。结果表明，无论间隔层性质如何，超薄 BiFeO$_3$ 多层膜的磁性能均严重退化，且在部分研究案例中磁性甚至消失。需要更广泛的计算以建立涉及 BiFeO$_3$ 化合物的界面物理性质的更清晰图景。