抑制自旋量子比特器件的片上电磁串扰
介观与纳米尺度物理
2015-09-24 v1 量子物理
摘要
我们报告了用于抑制自旋量子比特器件架构中电磁（EM）串扰的片上互连的开发与性能，该架构需要大量栅电极以实现多量子比特操作。我们的设计通过使用微型欧姆接触和散布的接地防护，提高了典型器件互连的性能。低温测量和数值模拟证实，从直流到1 GHz，控制和读出信号串扰可以被抑制到约1%的水平。
引用
@article{arxiv.1205.4072,
title = {Suppressing On-Chip EM Crosstalk for Spin Qubit Devices},
author = {S. Blanvillain and J. I. Colless and D. J. Reilly and H. Lu and A. C. Gossard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4072},
year = {2015}
}